深圳平湖实验室联合深圳市鹏进高科技有限公司，在国产宽禁带半导体功率器件领域取得重大突破！成功攻克1200V沟槽栅SiC MOSFET芯片的核心技术难题，构建了8英寸工艺平台，实现了自主知识产权的高性能1200V沟槽栅SiC MOSFET芯片流片成功。其核心发明专利（专利公开号：CN118610269A）已经获得授权。这标志着我国在自主知识产权的第三代半导体关键器件研发与制造能力上迈上新台阶，将为新能源汽车、光伏储能、工业电源等广泛应用提供强劲而持久的“中国芯”动力！ 8英寸高性能沟槽栅SiC MOSFET结构（专利）示意图及芯片剖面图 1、性能卓越，设计可靠： 静态性能指标实现了业内领先的低比导通电阻（<2.1mΩ·cm²），优于国际主流高可靠厂商的技术水平（如 Bosch G2）；动态特性参数（包括输入电容 Ciss、栅极电荷 Qg、反向恢复电荷 Qrr等）对标国际顶尖工业技术标杆（如 Infineon G2）；整体性能达到国内领先，国际先进水平。 零失效通过1000小时高温反向偏压（HT...

2025年6月是全国第24个“安全生产月”，今年的主题为“人人讲安全、个个会应急——查找身边安全隐患”。鹏进高科所在的国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台（以下简称：深圳综合平台）积极响应国家号召，开展了一系列安全生产活动，提升全员安全意识及应急能力，保障平台稳步运营，筑牢安全生产防线。 营造安全氛围，培养安全意识 环境健康与安全部围绕2025年安全生产月主题，通过在园区内拉设横幅、张贴海报、大屏宣导等形式，紧密结合平台实际，渲染园区安全月氛围，使得园区处处充满“安全”，员工随处可见“安全”。 趣味知识问答，提升安全意识 深圳综合平台环境健康与安全部为普及安全知识、提升安全意识组织了线下“安全月知识竞赛”，活动现场吸引员工积极参与其中，在趣味答题中巩固安全生产知识，为安全生产保驾护航。 技能大比武，ERT成员展锋芒 在ERT技能大比武中，各部门的ERT成员竞展锋芒，赛前各参赛选手就不惧夏日的酷热、狂风骤雨的洗礼，日夜拉练，磨剑已久。比赛当天在...

近日，鹏进高科在质量管理领域频传喜讯——公司凭借卓越的质量管理体系建设与严格的管理标准，成功通过国际汽车工作组（IATF）和国际标准化组织（ISO）审核，正式获得IATF16949:2016国际汽车质量管理体系符合证明函及ISO9001:2015质量管理体系认证证书。这标志着公司在质量管理水平、产品服务能力上达到国际标准，实现了企业发展的重要里程碑！ IATF16949作为全球汽车行业的严苛标准，涵盖了从工艺开发、生产制造到售后服务全流程管理要求；ISO9001是国际公认的质量管理基础准则，二者顺利通过，是对公司质量管理体系建设、风险防控机制、客户服务体系等综合实力的高度认可。 这份荣誉的背后，凝聚着鹏进高科全体员工的辛勤付出与不懈努力。自启动认证工作以来，公司上下协同、稳步推进，从标准宣贯、流程梳理，到全员参与、持续改进，全体同仁以精益求精的态度，攻坚克难，确保体系有效落地。此次认证不仅是对过去工作的肯定，更是新征程的起点。未来，公司将以双体系认证为契机，持续深化质量管理体系建设，严格把控产品与服务质量，...